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SHD4101

パッケージ図

パッケージ名 : HSON20

RoHS : YES

SHD4101は、4つの素子(シングルFRD、デュアルFRD、NチャネルパワーMOSFET×2)を小型HSONパッケージに内蔵しています。パワーMOSFETのゲート–ソース間には、ツェナーダイオードが内蔵されており、インジェクションコイルの駆動回路において、ゲート–ソース間に外付けのクランプ回路が不要です。高放熱パッケージの採用により、優れた放熱性を実現します。

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特長

    ・高信頼性
    ・車載対応
    ・AEC-Q101準拠
    ・端子部Pbフリー(RoHS対応)
    ・高速リカバリーダイオード×2
     (シングル:200 V/5 A、デュアル:200 V/3 A)
    ・NチャネルパワーMOSFET×2
     (40 V/10 A、100 V/10 A)
    ・ゲート–ソース間にツェナーダイオード内蔵

アプリケーション

・インジェクションコイル駆動回路

主要特性

ID
概要 Single FRD (200V/5A), Dual FRD (200V/3A), N-channel MOSFET×2 (40V/10A, 100V/10A)
質量 (Typ.) 0.4 g
電装品対応 YES

備考

SHD4101 Specifications
No. Element VRSM/VDSS IF(AV)/ID
1 Fast Recovery Diode (Single) 200 V 5 A
2 Fast Recovery Diode (Dual) 200 V 3 A
3 N-channel Power MOSFET 100 V 10 A
4 N-channel Power MOSFET 40 V 10 A

ブロックダイアグラム

ブロックダイアグラム

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