量産中

NR119E

パッケージ図

パッケージ名 : eSOIC8

RoHS : YES

NR110E シリーズは、パワーMOSFET を内蔵し た降圧スイッチングレギュレータ IC です。電流制 御方式により、セラミックコンデンサのような超 低 ESR のコンデンサに対応します。過電流保護 (OCP)、低入力禁止(UVLO)、過熱保護(TSD) 等の保護機能を有しています。起動時の突入電流 を防ぐために、外部調整可能なソフトスタート機 能を有しています。また、イネーブル機能を有し ており、EN 端子に外部から信号を入力することで、 IC をターンオン/ターンオフできます。位相補償 回路を内蔵し、外付けの位相補償用部品は不要で す。裏面ヒートスラグ付きの小型薄型の面実装 eSOIC8 パッケージを採用しております。

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特長

    • 最大効率94%
      軽負荷時の最大効率68%
      (VIN = 12 V、Vo = 5 V、Io = 20 mA)
    • 電流モード型PWM制御
    • 出力にセラミックコンデンサのような低ESRコンデンサの使用に対応
    • 位相補償回路を内蔵 外付け部品不要
    • ソフトスタート機能
      外付けコンデンサで時間調整可能
    • イネーブル機能
    • 保護機能
      過電流保護(OCP):垂下型自動復帰
      過熱保護内蔵(TSD):自動復帰
      低入力時誤動作防止回路(UVLO)

アプリケーション

  • AV 機器
  • 補助電源

主要特性

タイプ パワーIC
出力方式 可変
最大出力電圧 24.0 V
最大出力電流 2.0 A
入力電圧範囲 8.0 ~31 V
動作周波数 364 kHz
同期/ 非同期 非同期
電流モード制御 YES
最大入力電圧 31.00 V
出力ON/OFF
低ESRコンデンサ対応 YES
過電流保護特性 垂下型
位相補償 内蔵
過熱保護
UVLO
質量 (Typ.) 0.08 g
電装品対応 NO

応用回路例

応用回路例

ブロックダイアグラム

ブロックダイアグラム

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