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SHD4102

パッケージ図

パッケージ名 : HSON20

RoHS : YES

SHD4102は、4つのNチャネルパワーMOSFETを小型HSONパッケージに内蔵しています。パワーMOSFETのゲート–ソース間には、ツェナーダイオードが内蔵されており、インジェクションコイルの駆動回路において、ゲート–ソース間に外付けのクランプ回路が不要です。高放熱パッケージの採用により、優れた放熱性を実現します。

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特長

    ・高信頼性
    ・車載対応
    ・AEC-Q101準拠
    ・端子部Pbフリー(RoHS対応)
    ・NチャネルパワーMOSFET×4 (100 V/10 A)
    ・ゲート–ソース間にツェナーダイオード内蔵
    ・低オン抵抗

アプリケーション

・インジェクションコイル駆動回路

主要特性

ID
概要 N-channel MOSFET×4 (100V/10A)
質量 (Typ.) 0.4 g
電装品対応 YES

備考

SHD4102 Specifications

Power MOSFET×4
Parameter Specifications Remarks
V(BR)DSS 100 V ID = 100 μA
ID 10 A
RDS(ON) 50 mΩ max. ID = 5 A, VGS = 10 V

ブロックダイアグラム

ブロックダイアグラム

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